SiC紫外光电二极管-UVB 1mm²
SiC紫外光电二极管-UVB 1mm²

SiC可以承受高强度的辐射,并具有近乎完美的可见光的光盲、暗电流低,响应速度快和噪音低的特性。这使得SiC成为制备可见光光盲紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以在温度高达250°C的环境下长期工作。

UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸1mm².此外,可以根据应用选择0.1 mm², 0.25mm²,2mm²5mm²

品牌:德国IFW 型号: JEA1B; JEAC1B; JEA1B-I


产品介绍

品牌介绍:

IFW致力于基于Si硅和SiC碳化硅的光电二极管的研发和生产. 公司创立30多年来,产品行销于世界各地,甚至在美国宇航局“好奇号”火星探测器上使用。

 

产品特征:

   碳化硅(SiC)材料
   芯片有效面积从1mm²
   光谱响应范围从265322nm,峰值波长300nm
   芯片稳定性高
   TO-5封装
   可选配聚光透镜

  

技术参数:

芯片面积

1 mm2

峰值波长的典型响应度Smax

0.120A/W

波长范围(S=0.1*Smax

265-322nm

峰值波长

300nm

暗电流(1V反向偏压)Id

200fA

结电容C

70pF

工作温度

-40+150℃

响应时间

<1.3nS

储存温度

-40+150℃

焊接温度(3S

260℃

反向电压VRmax

20V


附注:

其他可选芯片面积

0.1 mm²;0.25 mm²;2 mm²;5 mm²;

其他可选波段

318-395nm; 265-322nm; 280-395 nm;   228-322 nm; 240-290 nm300-400 nm

 

典型应用:

  工业锅炉等火焰检测
  水处理
  臭氧和污染物光谱分析
  太阳光中的紫外线强度检测
  紫外线灯管的紫外线强度检测