集成低噪声JFET放大器的的Si硅光电二极管可采用单电压电源，具有非常低的漂移和高的动态范围。非常适合于辐射测量，光谱分析以及医学诊断。
集成运放的Si光电二极管的芯片尺寸7 mm²,光谱响应范围位于400-1100nm.
品牌:德国IFW 型号: JI 576 / 577 / 578
品牌介绍：
IFW致力于基于Si硅和SiC碳化硅的光电二极管的研发和生产. 公司创立30多年来，产品行销于世界各地，甚至在美国宇航局“好奇号”火星探测器上使用。
产品特征:
• 集成低噪声JFET放大器的硅光电二极管
• 集成反馈电阻和电容器
• 可见和近红外光谱范围
• 非常低的偏移
• 高动态范围
• 单电压电源
• 低功耗
• 密封TO-5封装
• 符合RoHS和WEEE标准
技术参数:
参数 | JI 576 | JI 577 | JI 578 | 单位 |
芯片面积 | 7 | 7 | 7 | mm2 |
反馈电阻 | 1 | 10 | 100 | MΩ |
暗偏置电压 | ± 0.3 | ±0.3 | ± 2 | mV |
波长范围（S=0.1*Smax） | 400…1100 | nm | ||
响应率 | 0.6 | 6 | 60 | mV/nW |
上升时间 | 3.5 | 20 | 50 | µs |
供电电压 | +5…+15 | V | ||
功耗 | 2.2 (2.6) | mA | ||
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