InSb锑化铟光电探测器
InSb锑化铟光电探测器

光伏型InSb锑化铟探测器是由使用单晶材料的mesa技术形成的p-n结。该工艺生产的光电二极管质量最高,在1μm至5.5μm波长范围内具有优异的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)探测器,它们的性能可以通过减少背景噪声(冷却FOV停止)或光谱(冷却干扰滤波器)来增强。


产品介绍

光谱特性


22.jpg

 

光伏效应是当特定波长的辐射入射到p-n结上时,p-n结上产生的电势。当光子通量照射结时,如果光子能量超过禁带能量,就会形成电子-空穴对。

 

电场将电子从p区扫向n区,空穴从n区扫向p区。该过程使p区为正,n区为负,并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。它由一个信号和噪声电流发生器以及一个电阻和电容项组成。


33.jpg
当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时,探测器应反向偏置,使其回到最佳工作点:零电压。

这可以通过使用匹配的前置放大器来实现,比如我们的IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声限制模式下运行。需要双输出电源。

 


  Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors

Model Number

FOV=60O, (λpk,1000,1)

Std. Pkg.

Std. Window

Active Area Element (mm)

D*

(cmHz1/2W-1)

Responsivity

(λp)

Resistance (Rd)

(Ω)

Capacitance (Cd)

(pF)

Short Circuit Current Isc (µA)

Open Circuit Voltage Vcc (mV)

Operating Temp.

(K)

IS-0.25

q.25/.25x.25

> 1.0E11

> 3 A/W

1000K

70

0.9

80
    to
    125

77

MSL-8
    MSL-12
    or
    MDL-8
    MDL-12

Sapphire

IS-0.5

q.5/.5x.5

500K

100

2

IS-1.0

q1/1x1

300K

350

8

IS-2.0

q2/2x2

100K

1500

30

MSL-8 Side Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time               MSL-12 Side Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time

MDL-8 Down Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time            MDL-12 Down Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time