InSb锑化铟光电探测器-MCT光电探测器-上海辟泰--Infrasolid|Vertilas|trinamiX|Pyreos|Pyroscience|Lasercomponents|NevadaNano

InSb锑化铟光电探测器

光伏型InSb锑化铟探测器是由使用单晶材料的mesa技术形成的p-n结。该工艺生产的光电二极管质量最高，在1μm至5.5μm波长范围内具有优异的电光性能。这些二极管是背景限制（BLIP）探测器，它们的性能可以通过减少背景噪声（冷却FOV停止）或光谱（冷却干扰滤波器）来增强。

品牌:InfraRed Associates

产品介绍

光谱特性

光伏效应是当特定波长的辐射入射到p-n结上时，p-n结上产生的电势。当光子通量照射结时，如果光子能量超过禁带能量，就会形成电子-空穴对。

电场将电子从p区扫向n区，空穴从n区扫向p区。该过程使p区为正，n区为负，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。它由一个信号和噪声电流发生器以及一个电阻和电容项组成。

当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时，探测器应反向偏置，使其回到最佳工作点：零电压。

这可以通过使用匹配的前置放大器来实现，比如我们的IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声限制模式下运行。需要双输出电源。

Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors

Model Number	FOV=60^O, (λpk,1000,1)								Std. Pkg.	Std. Window
	Active Area Element (mm)	D* (cmHz^1/2W^-1)	Responsivity (λp)	Resistance (Rd) (Ω)	Capacitance (Cd) (pF)	Short Circuit Current Isc (µA)	Open Circuit Voltage Vcc (mV)	Operating Temp. (K)
IS-0.25	q.25/.25x.25	> 1.0E11	> 3 A/W	1000K	70	0.9	80 to 125	77	MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12	Sapphire
IS-0.5	q.5/.5x.5			500K	100	2
IS-1.0	q1/1x1			300K	350	8
IS-2.0	q2/2x2			100K	1500	30
MSL-8 Side Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time MSL-12 Side Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time
MDL-8 Down Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time MDL-12 Down Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time

快速导航