200µm InGaAs雪崩光电二极管APD(05)
200µm InGaAs雪崩光电二极管APD(05)


200µm InGaAs雪崩光电二极管APD(05)采用TO46封装,具有非常高线性,高功率信号的处理能力,波长响应范围1000-1630nm,噪声的典型值8nA,增益达到M = 10 – 20。适用于激光测距,激光雷达等应用。

产品型号:AIn-200-05-M10-TO46


产品介绍


光电特性:

 

参数

最小值

典型值

最大值

单位

波长范围

1000


1630

nm

反向击穿电压

50

63

83

V

倍增因子


10


V = V BR - 8V

倍增因子


20


V = V BR -3V

光谱响应率

0.85

0.9

0.95

A/W

倍增暗电流


8

25

nA

结电容


1.5

2

pF

带宽

1

1.5

2

GHz