350µm InGaAs雪崩光电二极管APD
350µm InGaAs雪崩光电二极管APD

350µm InGaAs雪崩光电二极管APD(AIn-350-01)的波长响应范围950-1650nm,噪声的典型值低于1nA,增益达到M = 10 – 20。适用于激光测距,激光雷达等应用。

封装方式包括TO46,SMD或者尾纤等。


产品介绍

光电特性:

 

参数

最小值

典型值

最大值

单位

波长范围

950

1550

1650

nm

反向击穿电压

45

66

75

V

倍增因子


10


V = V BR - 3V

倍增因子


20


V = V BR - 1V

光谱响应率

0.9

1


A/W

倍增暗电流


1

2

nA

结电容


2.5

4

pF